Samsung zHBM 3D 内存
2026 年 8 月 4-5 日，Korea Herald / Samsung Newsroom / StorageReview。
zHBM 核心
| 特性 | 详情 |
|---|---|
| 架构 | HBM 垂直堆叠在 AI 加速器上方 |
| 性能提升 | 最高 8x |
| 定制 | 支持客户 IP 集成到层间 |
| 传统设计 | HBM 在处理器侧面 |
配套产品
- zNAND-O：DRAM 容量 + NAND 速度之间的中间层
- V10 BV-NAND：400+ 层预览
AI Master 解读
核心事件
Samsung zHBM 3D 内存架构首秀。
行业影响
为什么重要: 突破传统 HBM 侧面放置设计，垂直堆叠可大幅降低功耗、提升带宽。
影响分析:
| 维度 | 数据 |
|---|---|
| 架构 | HBM 垂直堆叠在加速器上方 |
| 性能 | 最高 8x 提升 |
| 配套 | zNAND-O + V10 BV-NAND 400+ 层 |
| 定制 | 支持客户 IP 集成 |
AI Master 建议
内存架构从平面走向 3D，Samsung 与 SK hynix 竞争进入新维度。