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Micron宣布至2035年在美国投资超$2500亿,含纽约/爱达荷新晶圆厂

Micron宣布至2035年在美国投资超$2500亿,含纽约和爱达荷新DRAM晶圆厂、弗吉尼亚扩产,以及$30亿供应链生态投资(含GlobalWafers 300mm硅片厂)。AI工作负载对DRAM/NAND/HBM/SSD需求是核心驱动力。

Micron $2500亿美国投资计划

公布时间: 2026年7月12日
投资周期: 至2035年

投资布局

地点 类型
纽约 新DRAM晶圆厂
爱达荷 新DRAM晶圆厂
弗吉尼亚 扩产
供应链生态 $30亿(含GlobalWafers 300mm硅片厂)

总投资规模

  • 至2035年: >$2500亿
  • 年均投资: ~$180亿/年

驱动因素

  • AI工作负载对DRAM/NAND/HBM/SSD需求爆发
  • HBM4产能竞赛加速
  • 美国芯片法案激励

AI Master 解读

核心事件

Micron宣布$2500亿+美国投资计划,聚焦DRAM/HBM扩产。

行业影响

影响分析: 1)$2500亿投资规模史无前例,反映AI存储需求的确定性;2)纽约+爱达荷新晶圆厂+弗吉尼亚扩产,产能大幅扩张;3)$30亿供应链投资含GlobalWafers硅片厂,构建完整生态;4)AI工作负载对DRAM/NAND/HBM/SSD需求是核心驱动力。

AI Master 建议

AI存储芯片超级周期正在形成。关注Micron/SK Hynix/Samsung的HBM4产能竞赛。