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SK海力士与英伟达联合研发AI工厂下一代存储技术,加速HBM4落地

SK海力士宣布与英伟达联合研发AI工厂下一代存储技术。双方将合作开发面向AI数据中心的新型存储方案,进一步提升HBM(高带宽内存)的性能和容量,为AI训练和推理提供更强大的数据管道。

SK海力士 x 英伟达 联合研发下一代存储

2026年6月,SK海力士宣布与英伟达联合研发AI工厂下一代存储技术。

合作要点

  • 面向AI数据中心的新型存储方案
  • 提升HBM性能和容量
  • 为AI训练和推理提供更强大据管道

行业意义

  • HBM是AI芯片性能关键制约
  • 下一代HBM标准由巨头共同定义
  • 存储技术决定AI模型规模天花板

来源: 新浪科技
链接: https://finance.sina.com.cn/tech/roll/2026-06-08/doc-iniasscq5518643.shtml

AI Master 解读

核心事件

SK海力士与英伟达联合研发下一代存储,存储技术成为AI算力的新瓶颈和突破口。

行业影响

HBM是AI芯片性能的关键制约因素。SK海力士作为HBM市场领导者,与英伟达的深度合作意味着下一代HBM标准将由这两家巨头共同定义。存储技术的进步直接决定AI模型规模的天花板。

AI Master 建议

关注HBM技术路线和存储芯片竞争格局,这是AI基础设施的核心赛道。